
Fonction principale
Support et stabilisation : soutient fermement le creuset interne en quartz pour l'empêcher de se ramollir et de se déformer à des températures supérieures à 1410 degrés.
Conduction du champ thermique : absorbe la chaleur rayonnée par le radiateur en graphite et chauffe uniformément le matériau en silicium par des méthodes de conduction et de rayonnement, obtenant ainsi un contrôle précis de la température.
Protection contre la fusion : agit comme une couche d'isolation entre le silicium fondu et la structure du four, empêchant la contamination par les impuretés et garantissant les performances électriques du silicium monocristallin.
Spécifications de compatibilité : compatible avec divers fours monocristallins-de 8 à 16 pouces et adapté au chargement de 300 à 1 200 kg de matériaux en silicium
Fonctionnalités principales
Stabilité à très haute température : tolère des températures élevées continues de 1 600 degrés et peut résister à des températures maximales de 1 800 degrés pendant une courte période. Coefficient de dilatation thermique Inférieur ou égal à 1,5×10⁻⁶/K
Contrôle extrêmement pur : teneur totale en impuretés inférieure ou égale à 50 ppm, et la teneur en éléments métalliques (Fe, Ni, Cu, etc.) est inférieure ou égale à 1 ppm, réduisant ainsi le risque de contamination des plaquettes de silicium.
Résistance exceptionnelle aux chocs thermiques : peut résister à des cycles de refroidissement et de chauffage rapides de plus de 1 000 degrés, sans fissure après plus de 1 000 cycles, et a une durée de vie de 8 à 12 mois.
Conductivité thermique uniforme : la conductivité thermique est de 200 à 400 W/m・K, avec un écart isotrope inférieur ou égal à 5 %, garantissant une répartition uniforme de la chaleur dans le champ thermique.
Faible réactivité chimique : vitesse de réaction avec le silicium fondu < 0,02 mm/h, réduisant la perte de matière et la contamination du silicium fondu. Avantages techniques
Amélioration du rendement du processus : les matériaux de haute-pureté augmentent la durée de vie des porteurs minoritaires du silicium monocristallin de 10 à 15 %, ce qui entraîne une augmentation globale du rendement de 5 à 8 %
Optimisation des coûts : la version avec revêtement SiC prolonge la durée de vie de 50 %, réduisant ainsi la fréquence des remplacements et les pertes dues aux temps d'arrêt
Compatibilité polyvalente : personnalisable en trois-sections ou structure intégrée, adaptée aux conceptions de champs thermiques de fours monocristallins de différentes marques

Sélection des matériaux
| Type de matériau | Paramètres clés | Scénarios d'application |
|---|---|---|
| Graphite isostatique de haute-pureté | Teneur en carbone supérieure ou égale à 99,99 %, teneur en cendres inférieure ou égale à 10 ppm, densité 1,85-1,95 g/cm³ | Fours photovoltaïques monocristallins grand public, nécessitant une faible pollution et une longue durée de vie |
| Graphite à revêtement SiC- | Épaisseur du revêtement en carbure de silicium 50-200 μm, dureté HV supérieure ou égale à 2800 | Environnements à forte-corrosion, prolongeant la durée de vie de 30 à 50 % |
| Creuset en graphite en trois-pièces | Structure segmentée avec jeux de dilatation thermique réservés | Production de plaquettes de silicium-de grande taille (12 pouces et plus), réduisant le risque de fissuration sous contrainte thermique |

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Service de qualité de marque
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