Description du produit
Fabriqué à partir de graphite synthétique à très-faible-cendres, le matériau est purifié à 2 800 degrés pour éliminer les impuretés métalliques, puis usiné avec précision-en un seul processus à l'aide de fraisage, de perçage et de rainurage CNC à cinq-axes. Certains composants sont dotés d'un revêtement SiC résistant à l'oxydation-qui permet-un fonctionnement à long terme dans des environnements sous vide dépassant 1 400 degrés sans réagir avec le silicium fondu. La gamme de produits comprend des pièces entièrement personnalisées telles que des creusets monocristallins-, des bateaux en graphite, des boucliers thermiques, des éléments chauffants et des supports de porte-graines, conçus pour les équipements de production-à grande échelle manipulant des tranches de silicium de 182/210 mm. Les tolérances dimensionnelles sont strictement alignées sur les normes d’assemblage des équipements photovoltaïques.
Caractéristiques du produit
Teneur en impuretés ultra-faible et matériau de haute-pureté, éliminant la contamination par les impuretés métalliques dans les plaquettes de silicium, améliorant ainsi l'efficacité de conversion de la batterie.
Faible coefficient de dilatation thermique, conservant la forme et les spécifications sans déformation pendant les cycles à -haute température-à long terme
Revêtement anti-oxydation composite SiC-, prolongeant considérablement la durée de vie dans des conditions de vide/atmosphère inerte
Haute résistance aux chocs thermiques, évitant les fissures et les dommages lors d'une alternance froid-chaud lors du démarrage ou de l'arrêt de l'équipement
Traitement de précision intégré, haute précision des emplacements et des-trous traversants, garantissant une intégration transparente du chargement des plaquettes, de l'assemblage du champ thermique et l'absence d'espace entre les composants
Avantages du produit
Le graphite industriel commun a une teneur excessive en cendres et est sujet à l'oxydation et à l'écaillage à haute température, ce qui peut provoquer des taches noires sur les tranches de silicium et une résistivité anormale, augmentant considérablement le coût de la ferraille de la production photovoltaïque. Ce graphite spécifique au photovoltaïque-est soumis à un double processus de purification à haute-température et de modification de surface, sans pollution du matériau de silicium tout au long du processus ; les composants du champ thermique ont une conduction thermique uniforme, réduisant les problèmes de rupture de tige de cristal et d'épaisseur inégale ; les fentes des bateaux en graphite sont standardisées pour le traitement, adaptées aux lignes de production automatisées de chargement et de déchargement. Il prend en charge les tests d'échantillons uniques jusqu'à la fourniture par lots, avec un cycle de remplacement des consommables plus long, réduisant ainsi les pertes dues aux temps d'arrêt de l'usine.
Paramètres techniques du produit
| Article de test | Norme technique |
|---|---|
| Matière première | Graphite isostatique de très-haute pureté pour le photovoltaïque |
| Contenu en cendres | Inférieur ou égal à 20 ppm |
| Densité apparente | 1,83 à 1,93 g/cm³ |
| Température de travail continue maximale | 1600 degrés |
| Coefficient de dilatation thermique | Inférieur ou égal à 0,55×10⁻⁶ / degré |
| Modification des surfaces | Revêtement anti-oxydation SiC-en option |
| Tolérance d'usinage | ±0,02 mm |
| Taille de plaquette applicable | Plaquette de silicium de 166 mm/182 mm/210 mm |
| Risque de contamination par le silicium | Zéro précipitation d’impuretés métalliques |
Pourquoi nous choisir
L'usine de matériaux de broyage et de moules Jincheng, située dans la ville de Huixian, est spécialisée dans le traitement d'accessoires en graphite pour les plaquettes de silicium photovoltaïques. Nous maîtrisons l'intégralité des processus-développés par nos soins pour purifier le graphite de haute-pureté, l'usinage de précision et le revêtement avec SiC. Tous les composants photovoltaïques en graphite sont soumis à une triple inspection pour vérifier leur pureté, leur taille et leur résistance aux températures élevées-à leur sortie de l'usine. Nous pouvons personnaliser des accessoires complets de champ thermique basés sur les modèles de fours monocristallins-et d'équipement de revêtement PECVD. Nous connaissons les normes de production des usines photovoltaïques à l'étranger et pouvons émettre des rapports d'inspection des matériaux en anglais. Nous fournissons un soutien à long terme-aux entreprises nationales et étrangères de fabrication de plaquettes de silicium.
Problème courant
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Des taches noires d'impuretés apparaissent à la surface de la plaquette de silicium
La teneur en cendres du substrat en graphite est trop élevée. Notre usine contrôle strictement la teneur en impuretés grâce à un processus de purification à ultra-haute-température.
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Les pièces en graphite se fissurent sous-utilisation à haute température : la résistance du substrat aux chocs thermiques est insuffisante. Nous sélectionnons du graphite isostatique à particules ultra-fines pour améliorer la ténacité.
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La perte par oxydation à court terme des pièces en graphite est importante.
Un revêtement SiC personnalisé peut être fourni pour isoler l'air à haute température-et retarder la perte.
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