Notre spécialité réside dans la résolution de problèmes liés au packaging des semi-conducteurs
Introduction détaillée
Principe de conductivité thermique : structure en couches anisotrope
Le graphite est composé d'atomes de carbone hybridés sp² disposés en structures en couches hexagonales :
Dans la couche (dans le plan) : liaisons covalentes fortes, l'efficacité de transmission des phonons est extrêmement élevée → Conductivité thermique ultra-élevée dans le plan
Entre couches (perpendiculaire au plan) : Faibles forces de Van der Waals → Très faible conduction thermique à l'extérieur du plan (≈ 10–25 W/m・K)
Caractéristiques principales : Anisotropie - Conduction thermique extrêmement forte le long du plan, conduction thermique très faible perpendiculairement au plan ; La conception doit être disposée dans le plan lors de la création, pour la dilatation thermique latérale.
Gain d’efficacité Précision et stabilité
| Indicateurs de performance | Graphite synthétique à haute conductivité thermique | Graphite synthétique à haute conductivité thermique | Cuivre | Aluminium |
|---|---|---|---|---|
| Conductivité thermique dans le plan-(W/m・K) | 1500–1900 | 2000–2200 | 401 | 237 |
| Coefficient de conductivité thermique extérieure (W/m・K) | 15–25 | 10–20 | 401 | 237 |
| Densité (g/cm³) | 2.1–2.2 | 2.2 | 8.9 | 2.7 |
| Coefficient de dilatation thermique (ppm/degré) | 1–4 | 0.5–2 | 17 | 23 |
| Résistant à la température-(air/inerte) | 450 degrés/3000 degrés | 500 degrés/3000 degrés | 500 degrés | 600 degrés |
| Résistivité électrique (Ω・cm) | 10⁻³–10⁻⁴ | 10⁻⁴ | 1.7×10⁻⁶ | 2.8×10⁻⁶ |
Limitations (la conception doit-connaître)
Anisotropie, différence de conduction thermique verticale : ne peut pas effectuer seule une dissipation thermique verticale ; il doit être associé à du cuivre/VC/ailettes ;
Fragilité, faible résistance mécanique : Les feuilles de graphite sont sujettes à la fissuration ; ils ont besoin de colle de support/revêtement/substrat composite ;
Conducteur, nécessite un traitement d'isolation : Pour éviter les courts-circuits ;
S'oxyde facilement dans l'air à haute-température : > 450 degrés nécessite une protection par revêtement SiC/BN/TaC.
Applications industrielles (chaîne complète de semi-conducteurs)
Serveurs IA/Centres de données/Calcul-haute performance
Application : GPU, CPU, mémoire, module d'alimentation, feuille de graphite à haute conductivité thermique + dissipation thermique composite VC ;
Valeur : Puissance de calcul à haute densité-, suppression des points chauds, température uniforme, réduction du poids, consommation électrique réduite du ventilateur.
Fabrication de semi-conducteurs (plaquettes / épitaxie / cristaux de croissance / champ thermique sous vide)
Application : creuset/base en graphite pour four de croissance monocristallin SiC, plateau en graphite épitaxial, électrode de graphite PECVD/gravure, composants d'isolation/dissipation thermique en graphite pour four sous vide, vis/écrous en graphite ;
Valeur : 2000 degrés + haute température, haute pureté, faibles impuretés, faible dégagement de gaz, répartition uniforme de la chaleur, rendement amélioré.
Applications industrielles (chaîne complète de semi-conducteurs)
Communication optique / Stations de base 5G, Aérospatiale, Industrie militaire
Application : modules optiques, amplificateurs RF, radar, électronique satellite, dissipation thermique des dispositifs laser haute-puissance ;
Valeur : légèreté, haute fiabilité, stabilité environnementale extrême.
Notre produit phare
produits en graphite
graphite synthétique
graphite de haute pureté
graphite industriel
matériau graphite
composants en graphite / pièces en graphite
feuille thermique en graphite / dissipateur de chaleur en graphite
Feuille de graphite flexible/feuille de graphite
graphite isostatique / graphite pressé isostatique
Dissipateur de chaleur en graphite à haute conductivité thermique
Creuset en graphite de très haute pureté 5N pour la croissance des cristaux SiC
bateau en graphite pour PECVD / suscepteur en graphite pour épitaxie
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