
L'anneau de support en graphite isostatique de haute pureté-à 99,99 % est un composant essentiel dans le domaine thermique des fours monocristallins photovoltaïques et semi-conducteurs-, servant à la fois d'élément porteur-et de salle blanche. Avec six caractéristiques clés : -ultra-pureté très élevée, isotropie, résistance aux températures élevées-, faible dilatation thermique, inertie chimique et usinage de précision-, il garantit la pureté, le rendement et la stabilité du champ thermique du monocristal-. Les principaux scénarios d'application incluent les fours photovoltaïques CZ, les plaquettes de silicium semi-conducteur et les fours monocristallins SiC-.
L'anneau de support en graphite de silicium monocristallin (graphite isostatique de haute pureté à 99,99 % / 4N) est le composant structurel principal du champ thermique du four monocristallin à tirage direct (CZ). Il est utilisé dans une atmosphère de vide/argon à des températures allant de 1 400 à 1 600 degrés pour soutenir de manière stable le creuset en graphite, le tube de guidage, le couvercle isolant et l'élément chauffant, supporter les charges axiales, assurer la concentricité et la stabilité dimensionnelle du champ thermique, empêcher la contamination par les impuretés de la fonte de silicium et garantir la pureté et le rendement de la tige de silicium monocristallin.
Matériau : graphite artificiel isostatique de haute-pureté (graphite isostatique), avec une teneur en carbone de ** supérieure ou égale à 99,99 % (4N)**, impuretés totales inférieures ou égales à 100 ppm, impuretés métalliques clés (Fe, Cu, Al, Ca, etc.) inférieures ou égales à 1 ppm.
Fonction principale : capacité de charge-+ positionnement + isolation thermique + anti-pollution. C'est un composant de base indispensable pour le tirage de monocristaux photovoltaïques/semi-conducteurs.


Fonctionnalités détaillées (principaux avantages)
Ultra-pureté élevée, éliminant la contamination par le silicium (le facteur le plus crucial)
Haute pureté à 99,99 % (4N), avec des impuretés extrêmement faibles. Il ne se volatilise pas et ne libère pas d'impuretés métalliques à haute température, évitant ainsi les défauts d'oxygène, de carbone et d'impuretés métalliques dans les monocristaux de silicium, améliorant directement le rendement du monocristal et l'efficacité de conversion de la batterie. Le graphite ordinaire contient de fortes impuretés, ce qui peut provoquer des taches noires sur la tranche de silicium, des fuites et une diminution de la durée de vie des porteurs minoritaires.

Fonctionnalités détaillées (principaux avantages)
Moulage par pressage isostatique, structure isotrope et uniforme
Moulage par pressage isostatique à froid (CIP), avec des performances constantes dans les trois dimensions, sans orientation et densité uniforme ; il ne se déforme pas, ne se fissure pas à haute température, garantissant la concentricité du champ thermique et évitant l'excentricité, les bords cassés et les luxations pendant le processus de tirage du monocristal.
Fonctionnalités détaillées (principaux avantages)
Résistance aux températures élevées, forte stabilité thermique et résistance aux chocs thermiques.
Il peut fonctionner pendant une longue période à 1 500-1 600 degrés sous atmosphère de vide/argon, et pendant une courte période à 2 200 degrés ; la résistance à haute température ne diminue pas mais augmente légèrement ; le coefficient de dilatation thermique est extrêmement faible et il ne se fissure pas, ne tombe pas et ne se déforme pas sous un choc thermique intense lors d'un chauffage et d'un refroidissement rapides.


Application aux industries et aux scénarios
1) Industrie photovoltaïque (la plus essentielle)
Four de tirage en silicium monocristallin CZ (12/16/18/20/22/28 pouces) : supportant un creuset en graphite, un tube de dérivation, un cylindre isolant, un élément chauffant, un écran d'isolation thermique ; Assurer un champ thermique stable, la pureté des tiges de silicium, le rendement et la cohérence.
Convient aux tiges de silicium monocristallin de type N-/P- et à la production de plaquettes de silicium photovoltaïques à haute-efficacité.
Application aux industries et aux scénarios
2) Industrie des semi-conducteurs
Four en silicium monocristallin de qualité semi-conducteur-(12 pouces et plus) : production de tranches de silicium pour circuits intégrés, nécessitant une pureté ultra-5N (99,999 %), avec des impuretés contrôlées au niveau ppm/ppb.
Epitaxie de silicium, PECVD, composants de support de champ thermique de traitement thermique sous vide.

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