Principaux matériaux et structures
1) Creuset en graphite de pressage isostatique de haute-pureté (préféré pour les fours sous vide)
Compression tridimensionnelle uniforme-, structure dense, bonne isotropie, faible porosité, haute densité et impuretés extrêmement faibles ; utilisé pour les semi-conducteurs, la croissance des cristaux de SiC et la fusion des métaux de haute-pureté.
2) Creuset en graphite dense imprégné
Imprégnation de résine/goudron de houille pour sceller les pores, amélioration de l'étanchéité à l'air, rentabilité élevée- ; utilisé pour le traitement thermique sous vide conventionnel et le frittage d’alliages durs.
3) Creuset en graphite revêtu de SiC/BN
Revêtement SiC/BN dense sur la paroi intérieure, anti-oxydation, anti-adhérence, anti-contamination par le carbone et résistance à l'érosion des liquides métalliques ; peut brièvement entrer en contact avec l'air, durée de vie plus longue.
Fonctionnalité principale
1. Ultra-haute pureté, dégazage extrêmement faible (le vide est la clé)
Carbone fixe : 99,9 % (3N) / 99,95 % (4N) / 99,99 % (5N)
Teneur en cendres : Inférieure ou égale à 50 ppm (4N), Inférieure ou égale à 10 ppm (5N) ; Impuretés métalliques (Fe, Si, Al, etc.) Inférieures ou égales à 5 à 10 ppm
Dégazage sous vide à haute température : matières volatiles totales inférieures ou égales à 0,005 % à 1 600 degrés, libération d'impuretés inférieures ou égales à 5 ppm, ne contamine pas la masse fondue/la pièce à usiner, n'endommage pas le degré de vide
2. Résistance à haute température, forte stabilité thermique
Long-terme sous vide/atmosphère inerte : 2 200 degrés ; Limite à court-terme : 2 800 degrés
Air (sans revêtement) : Inférieur ou égal à 450 degrés ; Revêtement SiC : 1 800 degrés utilisable à court terme-
Coefficient de dilatation thermique (25 à 1 000 degrés) : 1,8 à 2,2 × 10⁻⁶ / degré (extrêmement faible) ; Déformation par cycle thermique Inférieure ou égale à 0,01 mm/m, pas de fissuration, pas de déformation
Processus de production
Poudre de graphite de haute-pureté → Pressage isostatique à froid → Graphitisation à haute température de 2 800 à 3 000 degrés- → Imprégnation et densification (en option) → Traitement CNC de précision → Revêtement SiC/BN (en option) → Nettoyage, séchage, détection de fuite → Contrôle de qualité (COA, SGS) → Emballage
Principaux domaines d'application
Semi-conducteurs / Photovoltaïque : croissance de monocristaux de SiC, fusion de matériaux en silicium, recuit de tranches, PECVD, creuset à champ thermique
Métallurgie sous vide : Titane, tungstène, molybdène, métaux précieux, métaux rares, fusion/distillation sous vide
Métallurgie des poudres : Carbure cémenté, néodyme fer bore, frittage sous vide de céramique
Traitement thermique sous vide : alliages-haute température, aciers spéciaux trempe/brasage sous vide
Suggestions de sélection :
Ultra-vide poussé (10⁻⁵ à 10⁻⁶ Pa) + Semi-conducteur / Matériaux de haute-pureté → Creuset en graphite isostatique de haute-pureté 5N
Fours sous vide conventionnels, frittage / fusion → creuset en graphite isostatique / imprégné 4N (rentabilité élevée-)
Sujet à l'oxydation, à l'érosion des liquides métalliques, anti-adhérence → creuset en graphite revêtu de SiC/BN
| Article | Isostatique de haute-pureté | Imprégné | Revêtement SiC | Condition |
|---|---|---|---|---|
| Carbone Fixe | Supérieur ou égal à 99,95 %/99,99 % | Supérieur ou égal à 99,9 % | Supérieur ou égal à 99,95 % | RT |
| Densité apparente | 1,85 à 1,92 g/cm³ | 1,75 à 1,85 g/cm³ | 1,88 à 1,92 g/cm³ | RT |
| Porosité | Inférieur ou égal à 1,5% | Inférieur ou égal à 3% | Inférieur ou égal à 1,5% | RT |
| Température continue (vide) | 2200 degrés | 2100 degrés | 2200 degrés | Ar/N₂ |
| CTE (25-1000 degrés) | 1,8–2,2×10⁻⁶/degré | 2,0–2,5×10⁻⁶/degré | 1,9–2,3×10⁻⁶/degré | / degré |
| Conductivité thermique | 150–180 W/(m·K) | 120–150 W/(m·K) | 140–170 W/(m·K) | RT |
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