Au premier semestre 2026, le taux de pénétration mondial des cellules photovoltaïques à haut rendement -de type N-TOPCon et HJT a dépassé 65 %, remplaçant complètement les batteries traditionnelles de type P-et devenant le courant dominant du marché. Par rapport aux batteries de type P-, les cellules à haut rendement-de type N-ont des exigences plus strictes en matière de pureté des plaquettes de silicium, d'intégrité du réseau et de durée de vie des porteurs minoritaires. Les impuretés métalliques traces et la contamination par des micro-particules dans les plaquettes de silicium entraîneront directement une réduction de l'efficacité de conversion et une augmentation du taux d'atténuation des modules photovoltaïques, ce qui met en avant des exigences plus élevées en matière d'ultra-pureté et d'ultra-propre pour les composants du champ thermique en graphite des fours photovoltaïques.
À l'ère des batteries de type P-, les champs thermiques en graphite photovoltaïque adoptent généralement du graphite à grain moyen-de pureté moyenne-avec une teneur en cendres inférieure à 50 ppm, ce qui peut répondre aux besoins de production de base. Cependant, dans le scénario de production de type N-, les traces de fer, de cuivre, de nickel et d'autres impuretés métalliques présentes dans le graphite ordinaire se volatiliseront à haute température et pénétreront dans le silicium fondu, formant des micro-défauts dans les plaquettes de silicium, limitant sérieusement l'amélioration de l'efficacité des batteries à haut rendement-. Par conséquent, les principaux fabricants photovoltaïques du monde entier ont successivement mis à jour leurs normes d'approvisionnement, exigeant que la teneur en cendres des composants en graphite du champ thermique soit contrôlée en dessous de 10 ppm et mettant en œuvre un traitement complet de purification à haute température pour toutes les parties du champ thermique.
En plus de l'amélioration de la pureté, la technologie d'extraction de cristaux à cycle long- popularisée par les plaquettes de silicium de grande taille-de 210 mm met également en avant de nouvelles exigences en matière de stabilité structurelle et de performances anti-érosion des champs thermiques en graphite. La production photovoltaïque moderne adopte un tirage de cristaux à long cycle -ininterrompu de plus de 200 heures par four, et les composants en graphite doivent fonctionner de manière stable dans un environnement d'érosion par la vapeur de silicium à haute température- pendant une longue période. Les structures de champ thermique épissées traditionnelles sont sujettes à la distorsion du champ de température et aux défaillances d'oxydation locale, ce qui entraîne des arrêts et des remplacements fréquents du four. Les champs thermiques intégrés en graphite imprégné de grande taille-haute-densité sont devenus la nouvelle norme de l'industrie.
Les statistiques de l'industrie montrent qu'en 2026, la demande du marché mondial pour les composants de champ thermique en graphite photovoltaïque de haute pureté de type N-a augmenté de 27,3 % d'une année sur l'autre-sur-an, tandis que le marché des produits de champ thermique épissé à faible pureté de-a diminué de 18 %. L'industrie du graphite photovoltaïque est confrontée à une élimination complète des capacités de production arriérées et à une mise à niveau rapide des produits haut de gamme. Les entreprises de transformation du graphite qui ne peuvent pas s'adapter aux exigences élevées des normes de type N-seront complètement éliminées de la chaîne d'approvisionnement photovoltaïque traditionnelle.
Usine de moules abrasifs et en graphite Huixian Jinchenga pris les devants en achevant la mise à niveau technique des composants de champ thermique en graphite photovoltaïque de type N-de haute-pureté en 2026, et est devenu un fournisseur stable de nombreux fabricants photovoltaïques mondiaux à grande échelle-. L'entreprise abandonne complètement les matières premières de graphite de pureté moyenne et faible-et sélectionne exclusivement du graphite isostatique à grains ultra-de haute-qualité pour les champs thermiques photovoltaïques à haut-efficacité. Grâce à une purification halogène secondaire à haute température et à un traitement d'imprégnation sous vide multi-cycles, la teneur en impuretés des composants est contrôlée de manière stable en dessous de 10 ppm, répondant pleinement aux normes de production de plaquettes de silicium à haute efficacité de type N-.
Visant le mode de production d'extraction de cristaux à cycle long-, Jincheng Graphite optimise la conception structurelle intégrée des composants du champ thermique, remplace la structure d'épissage segmentée traditionnelle par des radiateurs en graphite intégrés de grande taille-et des barils d'isolation thermique, élimine les espaces d'assemblage et les angles morts de différence de température, et réalise une distribution de champ thermique ultra-uniforme. La structure imprégnée à haute densité optimisée - peut résister efficacement à l'érosion par la vapeur de silicium, prolonger la durée de vie continue des composants du champ thermique de plus de 40 % et réduire considérablement la fréquence d'arrêt des équipements et le coût de remplacement des consommables des entreprises photovoltaïques.
Dans le même temps, l'entreprise fournit des services professionnels de maintenance et de régénération des champs thermiques pour les anciens équipements d'entreprises photovoltaïques à l'étranger, purifie et ré-imprégne les pièces de champs thermiques en graphite usagées, met à niveau les champs thermiques ordinaires vers des champs thermiques de type N-haute-standard et aide les clients à réaliser des itérations techniques à faible coût. Avec la popularisation continue de la technologie de type N-dans l'industrie photovoltaïque mondiale, Jincheng Graphite continuera d'optimiser les performances et la technologie de traitement des composants de champ thermique, et de fournir des solutions de prise en charge de champ thermique en graphite de haute-stabilité et de haute-pureté pour l'industrie mondiale de fabrication photovoltaïque à haute-efficacité.
